| 发明名称 | 半导体晶圆和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体晶圆和半导体器件。本发明实施例特别适合用于基板替换应用，例如在制作垂直结构LED情况下。一种半导体晶圆，包括：一个或多个缓冲层，多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层；以及被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。一种半导体器件，包括：在晶圆上的多个抛光触止块；一个或多个缓冲层，形成在所述多个抛光触止块上；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；在一个或多个外延层上的一个或多个金属层；和被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。 | ||
| 申请公布号 | CN102637788A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210125799.8 | 申请日期 | 2008.06.02 |
| 申请人 | 香港应用科技研究院有限公司 | 发明人 | 袁述 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种半导体晶圆，包括：一个或多个缓冲层；多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层；以及被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。 | ||
| 地址 | 香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 | ||