| 发明名称 | 一种PN结的扩散方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。由于本发明所提供的PN结的扩散方法，首先在硅片表面形成氧化层；然后提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。如此磷原子透过氧化层向硅片内部扩散的扩散方法，可以降低硅片表面杂质浓度，减少高浓度浅结磷扩散对硅片表面带来的晶格损伤，进而提高电池片的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102637778A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210143416.X | 申请日期 | 2012.05.10 |
| 申请人 | 英利能源（中国）有限公司 | 发明人 | 马桂艳;宋连胜;田世雄;张东升 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种PN结的扩散方法，其特征在于，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 | ||