| 发明名称 | 一种制作氮化物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作氮化物半导体器件的方法。该方法包括：在第一支撑衬底上形成氮化镓（GaN）外延层，在GaN外延层上形成第二支撑衬底，在除第一支撑衬底之外的其他区域的表面上形成钝化层，通过使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底，以及去除钝化层从而露出第二支撑衬底和GaN外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN102640258A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201080054182.0 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 金容进;李东键;金杜洙;李浩准;李启珍 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 武晨燕;张颖玲 |
| 主权项 | 一种制作氮化物半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层；在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底；在除所述第一支撑衬底以外的其他区域的表面上形成钝化层；通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底；以及去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||