| 发明名称 | 用于半导体制造设备的清洗设备以及使用其制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。 | ||
| 申请公布号 | CN102637587A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210032005.3 | 申请日期 | 2012.02.13 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中村哲一;山田敦史;武田正行;渡部庆二;今西健治 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;董文国 |
| 主权项 | 一种用于半导体制造设备的清洗设备，包括：氧化物移除装置，其设置为移除粘附于所述半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物，和沉积物移除装置，其设置为在通过所述氧化物移除装置移除所述表面上的氧化物之后移除所述沉积物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||