发明名称 | 半导体开关 | ||
摘要 | 一种半导体开关(7),具备:具有开关元件(1)以及反向并联二极管(2)的主元件(3)、和反向电压施加电路(6)。上述反向电压施加电路(6)具有辅助电源(12)、高速回流二极管(4)、辅助元件(5)、和电容器(13)。上述高速回流二极管(4)由串联连接的多个二极管(15)形成。 | ||
申请公布号 | CN102638188A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
申请号 | CN201210031281.8 | 申请日期 | 2012.02.13 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 泷本和靖;饼川宏;中泽洋介;田井裕通;葛卷淳彦 |
分类号 | H02M7/48(2007.01)I | 主分类号 | H02M7/48(2007.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
主权项 | 一种半导体开关,其特征在于,具备:主元件,该主元件具有电压驱动型的开关元件以及与上述开关元件反向并联连接的反向并联二极管;以及反向电压施加电路,该反向电压施加电路对上述反向并联二极管施加比上述主元件的耐电压小的反向电压;上述反向电压施加电路具有:电压值比上述主元件的耐电压低的辅助电源;反向恢复时间比上述反向并联二极管短、反向恢复电荷比上述反向并联二极管小的高速回流二极管;连接在上述辅助电源以及高速回流二极管间、在上述反向并联二极管反向恢复时导通、耐压比上述主元件低的辅助元件;以及与上述辅助电源并联连接的电容器,上述高速回流二极管由串联连接的多个二极管形成。 | ||
地址 | 日本东京都 |