薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其是在每一次的图案化制程中，同时定义膜层以形成多个切裂标记。这些切裂标记为沿垂直预切裂方向紧密地排列成行，且这些切裂标记形成于一预切裂位置的两侧。藉由以这些切裂标记作为刻度记号，可显示出实际切裂位置与预切裂位置的偏移程度，进而可进一步对切裂制程做精确地调整，以提高制程良率。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板具有一组件区与一切裂标记区；在该基板上形成一第一导电层；图案化该第一导电层，以于该组件区的该基板上形成多数个栅极，以及同时于该切裂标记区的该基板上形成至少一第一切裂标记；在该基板上依序形成一介电层、一半导体材料层，以覆盖该些栅极与该第一切裂标记；图案化该半导体材料层，以于每一栅极上方的该介电层上形成一通道层，以及同时于该切裂标记区的该介电层上形成至少一第二切裂标记；在该基板上形成一第二导电层；图案化该第二导电层，以于每一栅极上方形成一源极与一漏极，以及同时于该切裂标记区的该介电层上形成至少一第三切裂标记；在该基板上形成一保护层；图案化该保护层，以于该组件区形成曝露出每一漏极的一接触窗开口，以及同时于该切裂标记区的该介电层上形成至少一第四切裂标记；在该基板上形成一透明导电材料层；以及图案化该透明导电材料层，以形成多数个像素电极，每一像素电极经由该接触窗开口与对应的该漏极电性连接，以及同时于该切裂标记区的该介电层上形成至少一第五切裂标记，其中该些切裂标记为沿垂直预切裂方向紧密地排列成行，且该些切裂标记形成于一预切裂位置的两侧。