发明名称 具有金属基板的高功率发光二极管装置
摘要 本实用新型提供一种具有金属基板的高功率发光二极管装置,包括有:一金属基板、一电路层体、至少一发光二极管晶粒、至少一荧光体、一挡胶部以及一硅胶部。金属基板以一预镀材层涂布于一置晶区上,再以一撑离垫体与预镀材层相连接。撑离垫体具有至少一容置槽,且与预镀材层相连接。容置槽具有相距一距离的一顶面侧以及一底面侧,容置槽外缘周围具有一反射面体。电路层体与金属基板相连接,且具有一通孔与一阻隔区,通孔对应置晶区,阻隔区将电路层体分隔成一第一电极以及一第二电极。发光二极管晶粒位于容置槽,且以一接连垫体与底面侧相连接。荧光体位于容置槽中,且包覆发光二极管晶粒。
申请公布号 CN202384332U 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201120462455.7 申请日期 2011.11.18
申请人 金绽科技股份有限公司 发明人 姜正廉
分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L25/075(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种具有金属基板的高功率发光二极管装置,其特征在于,包括有:一金属基板,其更包括有:一置晶区;一预镀材层,其涂布于该置晶区上;一撑离垫体,其具有至少一容置槽,该撑离垫体与该预镀材层相连接,该容置槽具有一顶面侧以及一底面侧,该顶面侧与该底面侧相距有一距离,且该容置槽外缘周围具有一反射面体;一电路层体,其与该金属基板相连接,该电路层体具有一通孔以及一阻隔区,该通孔对应该置晶区,该阻隔区将该电路层体分隔成一第一电极以及一第二电极;至少一发光二极管晶粒,其位于该容置槽,该发光二极管晶粒以一接连垫体与该底面侧相连接;至少一荧光体,其位于该容置槽中,且该荧光体包覆该发光二极管晶粒;一挡胶部,其具有一容置空间,该挡胶部贴靠连接该电路层体,且使该撑离垫体位于该容置空间中;一硅胶部,其具有一折射曲面,该硅胶部位于该容置空间中,且使该撑离垫体以及多个荧光体位于该硅胶部中。
地址 中国台湾新北市