发明名称 太阳能电池的制作方法以及太阳能电池
摘要 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤:在N型基底表面中形成N+型掺杂层;在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜;蚀刻开放区域,蚀刻深度大于该N+型掺杂层的厚度并且直至该N型基底以形成一凹槽;在凹槽表面中形成P+型掺杂区域,该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触;去除该薄膜以得到掺杂晶片;在该掺杂晶片的背面形成涂层;在该掺杂晶片的表面形成第二钝化层;在该掺杂晶片的表面形成阳电极和阴电极;烧结该掺杂晶片,使阳电极和阴电极的金属元素和掺杂晶片共晶复合。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明的制作方法简化了工艺步骤,无需购买光刻机,无需使用多张掩模板,不存在掩模板校准问题且降低了制作成本。
申请公布号 CN102637767A 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201110038160.1 申请日期 2011.02.15
申请人 上海凯世通半导体有限公司 发明人 钱锋;陈炯;洪俊华
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 薛琦;朱水平
主权项 一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,其包括以下步骤:步骤S1、在N型基底表面中形成N+型掺杂层;步骤S2、在该N+型掺杂层表面形成具有图样的薄膜,其中,未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域;步骤S3、对该开放区域进行蚀刻,蚀刻深度大于该N+型掺杂层的厚度并且直至该N型基底,以在该N型基底表面与该开放区域相对应的位置形成一凹槽;步骤S4、在N型基底的凹槽表面中形成P+型掺杂区域,其中,该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触;步骤S5、去除该具有图样的薄膜以得到掺杂晶片;步骤S6、在该掺杂晶片的背面形成涂层,该涂层为第一钝化层和和增透膜;步骤S7、在该掺杂晶片的表面形成第二钝化层;步骤S8、在该掺杂晶片的表面形成阳电极和阴电极,其中,该阳电极形成于该P+型掺杂区域上,该阴电极形成于该未经蚀刻的N+型掺杂层上;步骤S9、烧结该掺杂晶片,使阳电极和阴电极的金属元素和掺杂晶片共晶复合,其中,所述的P型替换为N型时,N型同时替换为P型。
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