| 发明名称 | 自对准碳化物源极/漏极FET | ||
| 摘要 | 本发明公开一种场效应晶体管，其包括：金属碳化物源极部分；金属碳化物漏极部分；绝缘碳部分，将金属碳化物源极部分与金属碳化物漏极部分隔开；纳米结构，形成于绝缘碳部分之上，并且将金属碳化物源极部分连接至金属碳化物漏极部分；以及栅极层叠，形成于绝缘碳部分的至少一部分和纳米结构的至少一部分之上。 | ||
| 申请公布号 | CN102640290A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201080054255.6 | 申请日期 | 2010.11.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·常;M·吉隆;C·拉沃伊;C·小卡布里奥;A·格里;E·奥沙利文 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/775(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴立明;边海梅 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括：金属碳化物源极部分；金属碳化物漏极部分；绝缘碳部分，将所述金属碳化物源极部分与所述金属碳化物漏极部分隔开；纳米结构，形成于所述绝缘碳部分之上，并且将所述金属碳化物源极部分连接至所述金属碳化物漏极部分；以及栅极层叠，形成于所述绝缘碳部分的至少一部分和所述纳米结构的至少一部分之上。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||