| 发明名称 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102637742A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210127626.X | 申请日期 | 2012.04.26 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 韩德栋;王漪;蔡剑;王亮亮;任奕成;张盛东;孙雷;刘晓彦;康晋锋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括源电极和漏电极、有源区、栅介质以及栅电极，源、漏电极位于衬底之上，所述有源区位于衬底和源、漏电极之上，栅介质层位于有源区之上，栅电极位于栅介质之上，其特征在于，所述有源区为两层氧离子含量不同的氧化锌铝薄膜。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||