| 发明名称 | Ω形状的纳米线场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，包括在半导体衬底(100)上形成纳米线(110)；在纳米线的第一部分上形成栅极结构；形成与第一栅极结构的侧壁相邻并且在纳米线的从第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受第一间隔物保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成第一源极区域和第一漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102640270A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201080054741.8 | 申请日期 | 2010.11.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·斯莱特;S·邦萨伦蒂普;G·科亨;J·常 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;边海梅 |
| 主权项 | 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成纳米线；在所述纳米线的第一部分上形成第一栅极结构；形成与所述第一栅极结构的侧壁相邻并且在所述纳米线的从所述第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物；移除所述纳米线的未受所述第一间隔物保护的露出部分；以及在所述纳米线的露出的截面上外延生长掺杂的半导体材料以形成第一源极区域和第一漏极区域。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||