基板处理装置和基板处理方法

摘要

一种能够提高对晶片进行的等离子体处理的均匀性的基板处理装置。晶片容纳于基板处理装置的室中，并受到使用处理室中产生的等离子体所执行的等离子体处理。控温机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分喷射高温气体。

主权项

一种基板处理装置，其具有容纳基板的处理室并且利用所述处理室中产生的等离子体对容纳于处理室中的所述基板进行等离子体处理，所述基板处理装置包括：喷射机构，适于从所述处理室的侧壁朝向面向所述等离子体的处理室内部件的至少一部分喷射控温气体。