发明名称 快闪存储器数据校正及擦除技术
摘要 为维护快闪存储器中所存储的易受到存储器内邻近区域中操作干扰的数据的完整性,在数据恶化至无法恢复有效数据之前,由干扰事件促成对数据的读取、校正及重写。当存储器系统具有其它高优先权操作要执行时,通过延期执行某些校正措施操作来平衡维护数据完整性与维护系统性能之间有时相互矛盾的需要。在一利用极大擦除单元的存储器系统中,所述校正过程是以一种按照有效重写数据量远少于一擦除单元容量的方式来执行。
申请公布号 CN101630279B 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN200910160836.7 申请日期 2004.09.28
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 卡洛斯·J·冈萨雷斯;凯文·M·康利
分类号 G06F11/10(2006.01)I 主分类号 G06F11/10(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 刘国伟
主权项 一种操作一具有一存储单元阵列的可擦除及可再编程非易失性存储器系统的方法,所述存储单元阵列被组织成若干区块,所述区块由可共同擦除的一最小数量的存储单元构成且包括复数个各自存储有一个或一个以上数据单元的页面,所述方法包括:响应于发生复数个预定义事件中的至少一个事件,识别至少一个区块中至少一个页面有待擦除;使用一第一组读取条件读取存储于所述至少一个页面中的数据,所述第一组读取条件包括第一组断开点电平;确定在经读取的所述数据中是否存在任何错误,且如果存在,则确定所述错误是否可校正;响应于确定经读取的所述数据中的所述错误无法校正,使用一第二组读取条件来重读取存储于所述至少一个页面中的所述数据,所述第二组读取条件包括第二组断开点电平,所述第二组断开点电平在其各自防护带内沿因干扰引起的预期存储阈电平偏移量的方向偏移;确定在经重读取的所述数据中是否存在任何错误,且如果存在,则确定所述错误是否可校正;响应于正在排定的其它存储器活动,进一步延期关于经读取的所述数据或经重读取的所述数据的措施;在完成所述其它存储器活动后且响应于确定经读取的所述数据或经重读取的所述数据中的所述错误可校正,校正此等错误以提供经校正的数据;及将所述经校正的数据写入一不同于所述至少一个区块的第二区块中的至少一个第二页面内,其中,断开点电平用于与阈电平进行比较以区分存储单元的存储状态,防护带包含允许确定个别存储单元存储状态的标称感测电平。
地址 美国加利福尼亚州