| 发明名称 | 陶瓷材料、半导体制造装置用构件、溅射靶材及陶瓷材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。 | ||
| 申请公布号 | CN102639463A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201180004701.7 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 |
| 分类号 | C04B35/581(2006.01)I;C04B35/04(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/581(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐申民;李晓 |
| 主权项 | 一种陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO‑AlN固溶体的晶相。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||