直拉硅片制造高频高压二极管的方法

摘要

本发明公开了一种直拉硅片制造高频高压二极管的方法，包括在一定的条件限制下进行硅片扩散、叠层合金、硅叠切断、组装烧结、钝化封装，其中所述扩散工艺包括对采用的直拉单晶N型硅片进行全数测试、PN前处理、硅片涂源、PN扩散、PN扩散后处理、PT扩散六步骤。本发明采用直拉硅片制造高频高压二极管，可从根本上解决区熔中照片货源紧缺、成本居高不下等制约行业发展的重大瓶颈。

主权项

一种直拉硅片制造高频高压二极管的方法，包括：硅片扩散、叠层合金、硅叠切断、组装烧结、钝化封装，其中所述扩散工艺包括对采用的直拉单晶N型硅片进行全数测试、PN前处理、硅片涂源、PN扩散、PN扩散后处理、PT扩散六步骤，其特征在于：所述对采用的直拉单晶N型硅片进行全数测试：测试参数中，所述直拉单晶N型硅片组合电阻率为40Ω.cm；所述硅片涂源：直拉硅片两面涂P源/N源后再复涂一次，其P面、N面附源总量高于区溶中照硅片两倍，且直拉硅片扩散后表面浓度达到0.06Ω.cm；所述PN扩散：直拉硅片扩散条件：在1300℃的温度下扩散68H，扩散后硅片结深为74±3μm；所述PT扩散：后处理硅片经酸、碱处理甩干后浸源，然后进PT扩散炉进行PT扩散，直拉硅片扩散条件：在980℃的温度下扩散2H，再以15℃/min降温速率降温至830℃恒温退火1H。