| 发明名称 | EUV光刻用光学构件及带反射层的EUV光刻用衬底的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供抑制了由钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV光学构件、和该EUV光学构件的制造中使用的带功能膜的衬底、以及该带功能膜的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。 | ||
| 申请公布号 | CN102640021A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201080055041.0 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 三上正树 |
| 分类号 | G02B5/08(2006.01)I;G03F1/24(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，所述反射层为Mo/Si多层反射膜，所述保护层为Ru层或Ru化合物层，在所述反射层与所述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||