提高静态随机存储器写入冗余度的方法

摘要

本发明提供了一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法。根据本发明的提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：当采用双重应力通孔刻蚀停止层应力处理时，所有NMOS器件的区域覆盖了张应力通孔刻蚀停止层，上拉管区域之外的其它所有PMOS器件区域覆盖了压应力通孔刻蚀停止层，上拉管区域的覆盖了张应力通孔刻蚀停止层；由此使上拉管区域与NMOS器件区域保留张应力。本发明在静态随机存储器制备工艺过程中，当采用双重应力通孔刻蚀停止层应力工程时，在上拉管区域使用可以在沟道中产生张应力的通孔刻蚀停止层，从而降低了上拉管空穴迁移率，增大了上拉管的等效电阻，提高了随机存储器写入冗余度。

主权项

一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于包括：当采用双重应力通孔刻蚀停止层应力处理时，所有NMOS器件的区域覆盖了张应力通孔刻蚀停止层，上拉管区域之外的其它所有PMOS器件区域覆盖了压应力通孔刻蚀停止层，上拉管区域的覆盖了张应力通孔刻蚀停止层；由此使上拉管区域与NMOS器件区域保留张应力。