发明名称 一种有机薄膜晶体管的制备方法
摘要 本发明揭示了一种制备有机薄膜晶体管的方法。有源层和绝缘层是由小分子半导体/绝缘聚合物交联膜组成,其中小分子半导体/绝缘聚合物交联膜是由小分子半导体材料在绝缘聚合物/溶剂体系中形成的一维互联网状纳米结构组成的。本发明所提供的有机薄膜晶体管具有可溶液化制备、柔性、高迁移率特征,同时本发明所提供的制备方法可实现晶体管有源层、绝缘层溶液化的简化制备,降低制备成本,因此在柔性、大面积、低成本有机薄膜晶体管的制备中具有重要的应用价值。
申请公布号 CN102637825A 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201210122364.8 申请日期 2012.04.24
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 王凤霞;潘革波
分类号 H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I 主分类号 H01L51/40(2006.01)I
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人 杨林;金玉兰
主权项 一种有机薄膜晶体管的制备方法,所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、有源层以及绝缘层,其特征在于,所述有源层和绝缘层由小分子半导体/绝缘聚合物交联膜组成,小分子半导体/绝缘聚合物交联膜的制备方法包括:在有机溶剂中溶解小分子半导体材料和绝缘聚合物,形成小分子半导体/绝缘聚合物的混合溶液,其中,小分子半导体材料的浓度为0.05~6mg/ml,绝缘聚合物的浓度为0.1~10mg/ml;利用小分子半导体/绝缘聚合物的混合溶液制备小分子半导体/绝缘聚合物交联膜;对所述小分子半导体/绝缘聚合物交联膜进行退火处理,使小分子半导体材料在绝缘聚合物介质中形成一维线形结构,并发生垂直相分离形成网状薄膜。
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