一种芯壳型纳米线的制备方法

摘要

本发明涉及一类芯壳型纳米线的激光沉积制备方法，属于半导体纳米材料及其异质结构领域。特别涉及以低密度纳米线阵列为模板，实现了结构和光学性质均匀的氧化锌基纳米线异质结的生长。以低密度纳米线阵列为模板，通过低压脉冲激光沉积技术沿纳米线外延生长壳层；有效克服了现存制备技术中的阴影效应；通过原位靶材更换，可方便实现多壳层纳米线的制备与壳层厚度控制；获得了结构和光学性质可控的芯壳型纳米线，比现有技术制备的纳米线异质结更加均匀。

主权项

一种芯壳型纳米线的制备方法，以低密度纳米线阵列为模板，通过低压脉冲激光沉积方法沿纳米线外延生长壳层，其特征在于：其具体步骤如下： （1）通过高压脉冲激光烧蚀方法，生长密度小于1/μm2的氧化锌纳米线阵列；（2）以（1）步中生长的低密度纳米线阵列为模板，采用低压脉冲激光沉积方法来生长纳米线壳层；（3）通过原位更换靶材，实现多成份、多壳层纳米线芯壳结构的生长；其中所述的高压脉冲激光烧蚀方法的生长条件是：生长腔内气压为100‑200mbar，波长为248纳米的KFr脉冲准分子激光照射氧化锌靶材，能量密度为2‑5J/cm2, 从而产生氧化锌的等离子体，并通过Ar气输运而沉积在生长有氧化锌缓冲层厚度为500‑1500nm的氧化铝衬底上，从而制备出低密度纳米线阵列；低压脉冲激光沉积方法的生长条件是：生长腔内气压为10‑5‑10‑7mbar，波长为248纳米的KFr脉冲准分子激光照射氧化锌ZnO或氧化锌镁ZnxMg1‑xO，其中0.7