发明名称 用于形成钝化发射极的银背面电极以及形成背面接触硅太阳能电池的方法
摘要 本发明公开了用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法,所述方法包括以下步骤:(1)提供硅片,所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层;(2)在硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案;以及(3)焙烧干燥的银浆,从而使晶片达到700-900℃的峰值温度,其中银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力,并且包含粒状银和有机载体。
申请公布号 CN102640231A 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN201080052455.8 申请日期 2010.11.23
申请人 E·I·内穆尔杜邦公司 发明人 A·G·普林斯;R·J·S·杨;G·劳迪辛奥;G·库尔塔特;K·W·杭;B·怀特勒
分类号 H01B1/22(2006.01)I 主分类号 H01B1/22(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 朱黎明
主权项 用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法,所述方法包括以下步骤:(1)提供硅片,所述硅片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有穿孔的介电钝化层,(2)在所述硅片的背面上施加并干燥银浆以在穿孔的介电钝化层上形成银背面电极图案,以及(3)焙烧所述干燥的银浆,从而使所述晶片达到700‑900℃的峰值温度,其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力,并且包含粒状银和有机载体。
地址 美国特拉华州