场效应半导体器件

摘要

用于形成半导体器件的方法以及具有集成多晶二极管的半导体器件。提供用于形成场效应功率半导体的方法，该方法包括提供半导体本体、与半导体本体的主表面相邻布置的导电区域以及布置在主水平表面上的绝缘层。穿透绝缘层蚀刻窄沟槽以露出导电区域。沉积多晶半导体层且形成垂直多晶二极管结构。多晶半导体层具有窄沟槽的最大水平延伸的至少一半的最小垂直厚度。至少形成垂直多晶二极管结构的一部分的多晶区域通过无掩膜回蚀多晶半导体层在窄沟槽中形成。而且，提供具有沟槽多晶二极管的半导体器件。

主权项

场效应半导体器件，包括：半导体本体，其特征在于，该半导体本体包括：主水平表面和第一导电类型的第一半导体区域；布置在第一半导体区域和主水平表面之间的第二导电类型的第二半导体区域，该第一半导体区域和第二半导体区域形成pn结；布置在主水平表面上的绝缘层；布置在绝缘层上的第一金属化；从主水平表面开始垂直延伸到pn结下面的深沟槽，该深沟槽包括与第一半导体区域和第二半导体区域绝缘的导电区域；窄沟槽，包括从第一金属化开始、穿透绝缘层延伸且至少延伸到导电区域的多晶半导体区域；以及包括水平延伸的pn结的垂直多晶二极管结构，该垂直多晶二极管结构至少部分地布置在窄沟槽中。