| 发明名称 | 半导体晶片的生产方法和处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及处理半导体晶片的方法，其包括抛光处理A和抛光处理B；抛光处理A对半导体表面的两侧同时进行材料去除处理，其中使用不含具有研磨作用的物质的抛光衬垫，并加入含有具有研磨作用的物质的抛光剂；抛光处理B对半导体晶片的一侧或两侧进行材料去除处理，其中使用具有微结构表面且不含与半导体晶片接触并比半导体材料更硬的材料的抛光衬垫，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物质的抛光剂。本发明还涉及生产半导体晶片的方法，其包括下列顺序的步骤：(a)将半导体单晶分成晶片；(b)借助于除碎屑处理同时处理半导体晶片的两侧；(c)抛光半导体晶片，其包括抛光处理A和抛光处理B；(d)化学机械抛光半导体晶片的一侧，去除不到1μm。 | ||
| 申请公布号 | CN101920477B | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201010143294.5 | 申请日期 | 2010.03.17 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | G·皮奇 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 苗征;于辉 |
| 主权项 | 处理半导体晶片的方法，其包括抛光处理A和抛光处理B；抛光处理A对半导体晶片表面的两侧同时进行材料去除处理，其中使用不含具有研磨作用的物质的抛光衬垫，并加入含有具有研磨作用的物质的抛光剂；抛光处理B对半导体晶片的一侧或两侧进行材料去除处理，其中使用具有微结构表面且不含与半导体晶片接触并比半导体材料更硬的材料的抛光衬垫，并加入pH值大于或等于10且不含具有研磨作用的物质的抛光剂。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||