发明名称 |
建立光学关键尺寸模组的方法以及使用此模组之光学关键尺寸测量的方法 |
摘要 |
一种光学关键尺寸测量的方法,用以测量待测元件之待测图案,此待测图案下方具有多晶矽层。此方法包括取得对应于待测元件之实际曲线,然后,依据多晶矽层是否已进行离子植入制程,以选择不同的模组。之后,依据所选定的模组进行拟合步骤,以产生与实际曲线实质上吻合之理论曲线,取得相对应于理论曲线之多数个参数。 |
申请公布号 |
TWI370244 |
申请公布日期 |
2012.08.11 |
申请号 |
TW097103279 |
申请日期 |
2008.01.29 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
黄俊吉;邓文仪 |
分类号 |
G01N21/17 |
主分类号 |
G01N21/17 |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |