半导体装置制造方法、半导体装置及半导体层形成方法

摘要

一种半导体装置制造方法以及一用于制造在半导体上制造具有优良的形态选择性之晶膜生长的半导体层之半导体层形成方法，以及一半导体装置。在制造一凹槽型源极/汲极pMOSFET的时候，一闸电极系被形成于一Si基材上，而在其与一闸绝缘薄膜之间形成有STIs(步骤S1)。在一侧壁被形成(步骤S2)之后，凹槽系在该侧壁的两侧上形成于部分的一基材中(步骤S3)。一包括有一下层部分以及一上层部分之SiGe层系被形成于该Si基材的该凹槽中。包括于该SiGe层中之该下层部分与该上层部分系在该下层部分相对于侧壁与该STIs之生长选择性，系低于该上层部分相对于侧壁与该STIs之生长选择性之生长选择性的条件下进行晶膜生长(步骤S4与S5)。结果，该SiGe层之相对于该侧壁与类似物的生长选择性将会是稳定的，而其中可能在该Si基材的该凹槽中所形成之形态上的恶化现象将可以被抑制。