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发明名称
具有介面黏合加热层之可变电阻记忆体装置,使用其之系统以及形成其之方法
摘要
本发明揭示一种可变电阻记忆体元件以及形成其之方法。该记忆体元件包括一第一电极;一电阻率介面层,其具有耦合至该第一电极之一第一表面;一电阻变化材料,例如一相变材料,其具有一耦合至该电阻率介面层之一第二表面的第一表面;以及一第二电极,其系耦合至该电阻变化材料之一第二表面。
申请公布号
TWI370544
申请公布日期
2012.08.11
申请号
TW097115139
申请日期
2008.04.24
申请人
美光科技公司 美国
发明人
刘峻
分类号
H01L27/24;H01L21/8239
主分类号
H01L27/24
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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