发明名称 金/矽共晶晶片键合方法
摘要 本发明涉及一种直接金/矽共晶晶片键合方法,该方法包括晶片键合区镀金,将晶圆研磨到所需要的厚度,研磨步骤后的晶圆切割,拾取晶片,和在高于金/矽共晶温度的温度下将晶片附贴到晶片键合区的各个步骤。对于较薄的晶圆采用研磨前切割工艺。
申请公布号 TWI370497 申请公布日期 2012.08.11
申请号 TW096143974 申请日期 2007.11.20
申请人 万国半导体股份有限公司 美国 发明人 刘凯;孙明
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 美国