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发明名称
形成具高介电常数之结构之方法及具高介电常数之结构
摘要
本发明揭示一种形成一诸如层之介电结构之方法。该方法包括自一高k材料之复数个部分形成一高k结构。该高k材料之该复数个部分中之每一者系藉由沈积该高k材料之复数个单层及退火该高k材料而形成。该高k材料可为一钙钛矿型材料,其包含(但不限于)钛酸锶。亦揭示一介电结构、一并入一介电结构之电容器及一形成一电容器之方法。
申请公布号
TWI370521
申请公布日期
2012.08.11
申请号
TW096143559
申请日期
2007.11.16
申请人
美光科技公司 美国
发明人
巴哈斯卡 斯田尼法珊;约翰A 史密斯
分类号
H01L21/8242
主分类号
H01L21/8242
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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