| 摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend–ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat (11),–eine Halbleiterschichtenfolge (2),–eine zwischen dem Trägersubstrat (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnete Spiegelschicht (6),–eine elektrisch isolierende transparente Verkapselungsschicht (10), welche Seitenflanken (16) der Spiegelschicht (6) und Seitenflanken (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) bedeckt,–ein erstes Bondpad (19) und ein zweites Bondpad (9), die jeweils lateral versetzt von der Halbleiterschichtenfolge (2) auf einer vom Trägersubstrat (11) aus gesehen der Strahlungsaustrittsfläche (15) zugewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angeordnet sind,–eine Kontaktschicht (7), die zumindest auf Teilbereichen der Strahlungsaustrittsfläche (15) angeordnet ist, und–eine elektrische Verbindungsschicht (8), welche das zweite Bondpad (9) mit der Kontaktschicht (7) elektrisch leitend verbindet, und auf der transparenten Verkapselungsschicht (10) über die Seitenflanken (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) zu dem zweiten Bondpad (9) geführt ist.</p> |
