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Ein Verfahren zur Rückgewinnung von Verstärkung in einem bipolaren Transistor, umfasst: Bereitstellung eines bipolaren Transistors umfassend einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis, die zwischen den Übergängen zum Emitter und zum Kollektor angeordnet ist; Betrieb in Sperrrichtung des Übergangs, der zwischen dem Emitter und der Basis angeordnet ist mit einer Betriebsspannung und für einen Betriebszeitraum, so dass eine Stromverstärkung &bgr; des Transistors abgebaut wird; Leerlauf des Transistors, und Erzeugung eines Reparatur-Stroms Ibr in der Basis, während des Betriebs in Vorwärtsrichtung des Übergangs, der zwischen dem Emitter und der Basis mit einer ersten Reparatur-Spannung (VBER) angeordnet ist, und während zumindest teilweise gleichzeitigen Betriebs in Sperrrichtung des Übergangs, der zwischen dem Kollektor und der Basis mit einer zweiten Reparatur-Spannung (VCBR) angeordnet ist, für eine Reparatur-Zeitperiode (TR), so dass die Verstärkung zumindest teilweise zurückgewonnen wird.
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