SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT HAVING REDUCED ON-STATE RESISTANCE

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, die eine auf einem hochdotierten Substrat ersten Leitfahigkeitstyps befindliche Epischicht des ersten Leitfähigkeitstyps, eine in die Epischicht eingebrachte Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine an der Oberfläche der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehene hochdotierte Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Zwischen der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem hochdotierten Substrat des ersten Leitfähigkeitstyps sind mehrere parallel zueinander angeordnete Schottkykontakte im Bereich der Epischicht vorgesehen, die im gefloateten Zustand sind.