发明名称 |
用于化学机械抛光的浆料组合物及抛光方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物,该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率,并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性,能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化,而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率,从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。 |
申请公布号 |
CN101333421B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN200810085569.7 |
申请日期 |
2008.03.19 |
申请人 |
第一毛织株式会社 |
发明人 |
李泰永;李仁庆;崔炳镐;朴容淳 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;C09G1/18(2006.01)I;B24B29/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
周建秋;王凤桐 |
主权项 |
一种对含有金属合金或硫族化合物的相变材料层的相变存储设备进行抛光的方法,其中,该方法包括在不存在研磨颗粒的条件下使所述相变材料层与用于化学机械抛光的浆料组合物接触,该浆料组合物含有去离子水和铁化合物,所述铁化合物包括铁离子化合物或铁螯合物。 |
地址 |
韩国庆尚北道 |