发明名称 一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池及其制造方法
摘要 本发明公开了一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池,包括:N型单晶硅衬底、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜和氮化硅薄膜;前电极包括:局域硼扩散区、Ti/Pb薄膜和前表面金属电极;背电极包括:背表面金属电极和背表面三氧化二铝薄膜。本发明还公开了N型单晶硅衬底PN结反型层电池的制造方法。本发明利用AL2O3带有固定负电荷,在N型单晶硅衬底的前表面诱导出一个P型反型层,提供前电场,由于没有硼掺杂的影响,使得电池稳定性能提高,同时降低了对短波的吸收,提高了蓝光响应,提高电池的短路电流密度,电池效率得到提升。
申请公布号 CN102044574B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN201010564015.2 申请日期 2010.11.30
申请人 奥特斯维能源(太仓)有限公司 发明人 高艳涛;邢国强;张斌;陶龙忠;沙泉
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池,其特征在于:它包括:N型单晶硅衬底(1)、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜(3)和氮化硅薄膜(4);所述前电极包括:局域硼扩散区(2)、Ti/Pb薄膜(6)和前表面金属电极(7);所述背电极包括:背表面金属电极(5)和背表面三氧化二铝薄膜(8);所述 N型单晶硅衬底(1)前表面附着前表面三氧化二铝薄膜(3),前表面三氧化二铝薄膜(3)外附着氮化硅薄膜(4);N型单晶硅衬底(1)前表面上设有凹槽,凹槽内设置前电极,前电极从内而外依次设有:局域硼扩散区(2)、Ti/Pb薄膜(6)和前表面金属电极(7);N型单晶硅衬底(1)背面设有背电极,背电极中背表面三氧化二铝薄膜(8)附着于N型单晶硅衬底(1)的背表面,并且背表面三氧化二铝薄膜(8)上设有凹槽,背表面金属电极(5)穿过凹槽与N型单晶硅衬底(1)连接。
地址 215434 江苏省苏州市太仓市太仓港港口开发区平江路88号