| 发明名称 | 具有横向P/N结的VCSEL系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种VCSEL系统，其包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结，其中，正向偏压所述横向p/n结在所述集成的多个增益区中引起光子发射。 | ||
| 申请公布号 | CN1901300B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200610103335.1 | 申请日期 | 2006.07.18 |
| 申请人 | 安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司 | 发明人 | 杰弗里·N·米勒;斯科特·W·科尔扎因;戴维·P·保尔 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 一种用于形成垂直腔面发射激光器系统的方法，包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；围绕所述垂直腔形成p型GaN外壳，使得沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结，其中，正向偏压所述横向p/n结在所述多个增益区中引起光子发射；在所述多个增益区上方形成第二反射镜，其中，在所述集成的多个增益区中发射的所述光子在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间反射，其中，用所述集成的多个增益区形成所述垂直腔还包括堆叠横向p/n结，所述横向p/n结的能带隙的能量低于在所述多个增益区之间的所述垂直腔中形成的n型半导体间隔。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||