| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101814497B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201010151045.0 | 申请日期 | 2008.05.23 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 楠茂;望月浩一;川上稔 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；半导体元件，具有电极；电阻元件，设置在所述绝缘膜上，并且，与所述电极电连接成使其成为针对流过所述电极的电流的电阻，利用所述半导体衬底和所述电阻元件之间的电位差，在所述电阻元件中产生耗尽层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||