| 发明名称 | 一种陶瓷抛光砖及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种陶瓷抛光砖及其制备方法。通过二次布料、干压成形、辊道窑烧成和机械抛光等工序，制备具有底层和面层两层结构的陶瓷抛光砖，其中底层的氧化铁含量质量百分数为0.5～3.0％，面层的氧化铁含量质量百分数低于0.5％。本发明方法可以大量利用储量丰富、含铁高的低品质陶瓷原料，从而显著节约优质陶瓷原料，降低生产成本，促进陶瓷行业的可持续发展，同时制造出具有吸水率低、强度高等特点的陶瓷抛光砖。 | ||
| 申请公布号 | CN102140831B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201110026181.1 | 申请日期 | 2011.01.21 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 吴建青;康德飞;朱法银;谢平波;彭诚 |
| 分类号 | E04F13/14(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;B28B1/00(2006.01)I | 主分类号 | E04F13/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种陶瓷抛光砖，其特征在于，所述陶瓷抛光砖具有底层和面层两层结构，其中底层的氧化铁含量质量百分数为0.5～3.0％，面层的氧化铁含量质量百分数低于0.5％；所述底层的其它原料组分如下：SiO2的质量百分数为71.0～73.0％，Al2O3的质量百分数为16.0～21.0％，MgO的质量百分数为0.2～1.5％，CaO的质量百分数为0.1～4.0％，K2O的质量百分数为1.0～2.5％，Na2O的质量百分数为2.5～5.0％。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||