发明名称 |
三端子太阳能电池阵列的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种三端子太阳能电池阵列的制造方法。在此方法中,仅需要四个主要刻划步骤或蚀刻步骤,就可以曝露三端子太阳能电池的三个导电层并隔离个别的太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN102117865B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201010622710.X |
申请日期 |
2010.12.30 |
申请人 |
杜邦太阳能有限公司 |
发明人 |
蔡宏骏;陈良吉;林于庭;蔡耀铭 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种三端子太阳能电池阵列的制造方法,其特征在于,其包含以下步骤:依次形成一第一透明导电层、一第一半导体层、一第二透明导电层、一第二半导体层及一第三导电层于一透明基板上;形成一第一开口在该第三导电层、该第二半导体层、该第二透明导电层及该第一半导体层中,以曝露该第一透明导电层;形成一第二开口在该第三导电层及该第二半导体层中,以曝露该第二透明导电层;形成第三开口在该第三导电层、该第二半导体层、该第二透明导电层、该第一半导体层及该第一透明导电层中,以曝露该透明基板,其中该第三开口的延伸方向垂直于该第一开口及该第二开口的延伸方向以隔离个别太阳能电池;形成一共形介电层在该些太阳能电池及该透明基板的上表面上;蚀刻该介电层,形成一第四开口、一第五开口及一第六开口,以分别曝露该第一透明导电层、该第二透明导电层及该第三导电层;及分别形成一第一金属线、一第二金属线及一第三金属线在该第四开口、该第五开口及该第六开口中,以直接连接该第一透明导电层、该第二透明导电层及该第三导电层。 |
地址 |
中国香港新界白石角香港科学园科技大道西8号尚湖楼西5楼501-509室 |