基于GaN纳米柱结构的染料敏化太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN纳米柱染料敏化太阳能电池制作方法，主要解决现有染料敏化太阳能电池效率低的问题。它包括：玻璃保护层(1)、氧化铟锡ITO导电层(2)、GaN缓冲层(3)、n-GaN纳米柱(4)、N719染料(5)、液态电解质层(6)、铂金属层(7)、氧化铟锡ITO导电层(8)、玻璃保护层(9)，其中：在N719染料(5)和GaN缓冲层(3)之间设高度为650nm-750nm，间距为350nm-450nm的n-GaN纳米柱(4)；氧化铟锡ITO导电层(2)位于GaN缓冲层(3)的下方；玻璃保护层(1)设置在ITO导电层(2)的下方，两者共同构成氧化铟锡ITO导电玻璃。本发明具有电池成本低、光电转换效率高的优点，可用于商用和民用发电系统。

主权项

一种GaN纳米柱染料敏化太阳能电池，包括：N719染料(5)、液态电解质层(6)、铂金属层(7)、氧化铟锡ITO导电层(8)、玻璃保护层(9)，其特征在于：在N719染料(5)和GaN缓冲层(3)之间设有n‑GaN纳米柱(4)；GaN缓冲层(3)的下方设有氧化铟锡ITO导电层(2)；该ITO导电层(2)的下方设有玻璃保护层(1)，两者共同构成氧化铟锡ITO导电玻璃。