| 发明名称 | 具有垂直沟道的存取器件和相关半导体器件以及制备存取器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种存取器件、半导体器件和制备存取器件和相关半导体器件的方法。该存取器件包括隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道、设置在该沟道上的栅极电介质、和跨该栅极电介质耦合到沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线包括邻近该栅极电介质设置并覆盖该下部源/漏区至少一部分的递减缘部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101226960B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200810003550.3 | 申请日期 | 2008.01.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹在万;吴容哲;金熙中;郑铉雨 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 一种适合用在半导体器件中的存取器件，包括：隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道；设置在该沟道上的栅极电介质；跨该栅极电介质耦合到该沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线形成在第一层间绝缘层上并且在该下部源/漏区之上，并且该统一的栅电极/连接线包括：递减缘部分，该递减缘部分具有：垂直边缘，该垂直边缘被设置成邻近该沟道并且通过该栅极电介质与该沟道隔开；以及，下部横向边缘，该下部横向边缘从该垂直边缘延伸以覆盖至少一部分下部源/漏区；以及横向部分，该横向部分从该递减缘部分延伸远离该沟道并且具有在该第一层间绝缘层上的下表面，其中，该下部源/漏区的上表面低于该第一层间绝缘层的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||