一种浅沟槽隔离结构及制备该结构的制程

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构，其包括衬底，生长在衬底上的氧化层，以及覆盖在氧化层的罩幕层，填充在浅沟槽及罩幕层上表面的等离子体；其中，所述浅沟槽的拐角为弧形结构。本发明还提供一种制备浅沟槽隔离结构的制程，该制程包括如下步骤：a.蚀刻有源区以形成浅沟槽；b.执行罩幕层回蚀的制程，蚀刻罩幕层以露出部分的垫氧化层；c.将浅沟槽的浅沟拐角和罩幕层拐角轰击成弧形；d.在该浅沟槽的内侧形成一层介质层；e.采用高密度等离子体化学气相淀积方式填充浅沟槽。本发明的结构可以有效避免拐角处可能存在的高电场，而且硅氧化物在弧形的拐角的生长速度会减慢，以达到更好的填充效果，有效避免填充后浅沟槽中出现空隙。

主权项

制备浅沟槽隔离结构的制程；进入该制程的器件结构包括衬底，生长在衬底上的垫氧化层，以及覆盖垫氧化层的罩幕层；其特征在于：该制程包括如下步骤：a.蚀刻有源区以形成浅沟槽；b.执行罩幕层回蚀的制程，蚀刻罩幕层以露出部分的垫氧化层，然后执行清洗浅沟槽的制程；c.将浅沟槽的浅沟拐角和罩幕层拐角轰击成弧形，其中，通过离子溅射制程将浅沟槽的浅沟拐角和罩幕层拐角轰击成弧形；d.采用热氧化制程在该浅沟槽的内侧形成一层衬底氧化层；e.采用高密度等离子体化学气相淀积方式填充浅沟槽，步骤e中硅氧化物在电磁场以及电浆体的作用下被填充到整个浅沟槽以及覆盖整个隔离结构的上表面。