发明名称 |
一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体及其制备方法 |
摘要 |
一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体及其制备方法,涉及一种半导体。一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料,分子式为Zn1-xTMxO,TM为过渡金属,x为掺杂成分的百分比,x=0.01~0.10。将锌盐溶解在离子液体中,加热至溶液透明;往溶液中加入过渡金属盐至全部溶解,得混合溶液;将混合溶液加热回流,自然冷却至室温,将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤,得到的粉末干燥,即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。晶体生长的温度低,设备要求简单,反应条件温和,溶剂非挥发,整个反应过程绿色环保,原料廉价。 |
申请公布号 |
CN102627314A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201210135622.6 |
申请日期 |
2010.08.20 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
戴李宗;肖文军;吴廷华;许一婷;罗伟昂 |
分类号 |
C01G9/02(2006.01)I;H01F1/40(2006.01)I |
主分类号 |
C01G9/02(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体,其特征在于为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料,其分子式为Zn1‑xTMxO,其中TM为过渡金属,x为掺杂成分的百分比,x=0.01~0.10;所述过渡金属为Cu。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |