发明名称 |
多壁碳纳米管/AgBiS<sub>2</sub>半导体纳米粒子杂化材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料及其制备方法,该材料是以乙二醇(或二甘醇)和丙三醇作为溶剂,以多壁碳纳米管、AgNO3、Bi(NO3)3·5H2O作为原料,以硫代氨基脲作为配位剂和还原剂,采用溶剂热法在多壁碳纳米管上原位修饰AgBiS2半导体纳米粒子。本发明的制备方法无需事先对碳纳米管进行氧化处理,使得碳纳米管的结构和性能的完整性得到了很好的保护,也不必在碳纳米管表面预修饰聚合物或表面活性剂,且为首次将半导体AgBiS2纳米粒子修饰在碳纳米管上,具有操作简单、原料成本低廉和易得等诸多优点,适合工业化大生产与实际应用。 |
申请公布号 |
CN102627969A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201210081307.X |
申请日期 |
2012.03.23 |
申请人 |
上海师范大学 |
发明人 |
吴惠霞;刘丹丹;王亚培;曾波;杨仕平 |
分类号 |
C09K11/74(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C09K11/74(2006.01)I |
代理机构 |
上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 |
代理人 |
吴瑾瑜 |
主权项 |
多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料,是在碳纳米管上包覆半导体纳米粒子,其特征在于,所述碳纳米管为多壁碳纳米管,所述半导体纳米粒子为三元硫属半导体纳米粒子AgBiS2。 |
地址 |
200234 上海市徐汇区桂林路100号 |