半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，其能够更好地防止焊盘下面的绝缘膜产生裂缝。作为解决手段，半导体装置具有三层结构的焊盘，该三层结构的焊盘由第1金属膜、第2金属膜和第3金属膜构成，第2金属膜具有比第1金属膜和第3金属膜的杨氏模量高的杨氏模量。

主权项

一种半导体装置，其具有焊盘，该半导体装置具有：半导体衬底；设置于上述半导体衬底的表面的绝缘膜；设置于上述绝缘膜上的第1金属膜；设置于上述第1金属膜上的第2金属膜；设置于上述第2金属膜上的第3金属膜；以及保护膜，其在上述第3金属膜上具有开口部，在上述开口部以外的部分覆盖上述第1金属膜、上述第2金属膜和上述第3金属膜，上述第2金属膜的杨氏模量大于上述第1金属膜的杨氏模量和上述第3金属膜的杨氏模量。