发明名称 |
钽溅射靶 |
摘要 |
一种钽溅射靶,其特征在于,在钽靶的表面,以整体结晶取向的总和为1时,具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶其面积率不超过0.5。本发明的课题在于得到成膜速度快,膜的均匀性优良,另外,成膜特性良好,很少产生电弧和颗粒的钽溅射用靶。 |
申请公布号 |
CN101857950B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201010194930.7 |
申请日期 |
2004.10.20 |
申请人 |
JX日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
小田国博 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
金龙河;樊卫民 |
主权项 |
一种钽溅射靶,其特征在于,钽溅射靶的平均结晶粒径为80μm以下,在该钽溅射靶的表面,以整体结晶取向的总和为1时,具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶,其面积率不超过0.5,并且具有(100)取向的结晶的面积率为0.3以上、0.5以下,还具有将铸造坯料进行锻造、轧制、退火而制造的再结晶结构。 |
地址 |
日本东京都 |