| 发明名称 | 用于使用EM仿真来补偿RFIC的性能退化的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于使用EM仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法。该方法包括以下步骤：(a)提取RFIC的设计规范以设计和仿真电路；(b)设计所设计和仿真的电路的布局，并通过使用所设计的布局来提取布局参数；(c)简化布局并执行EM仿真以提取性能参数；(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真，并判断电路仿真的结果是否满足RFIC的设计规范；(e)当判断电路仿真的结果满足RFIC的设计规范时，执行电路制造处理；以及(f)当判断电路仿真的结果不满足RFIC的设计规范时，部分地去除布局并执行EM仿真，从而分析并补偿性能退化区域。该方法解决了传统RFIC设计方法中出现性能退化时要从设计初始阶段重新处理、设计时间长的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101187954B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200710166493.6 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 金维新;李昌锡;杨昌洙;李光斗;金学善 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 章社杲;尚志峰 |
| 主权项 | 一种用于使用电磁仿真来补偿射频集成电路(RFIC)的性能退化的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提取所述RFIC的设计规范以设计和仿真电路；(b)设计所设计和仿真的电路的布局，并通过使用所设计的布局来提取布局参数；(c)简化所述布局并执行所述电磁仿真以提取性能参数；(d)通过使用所提取的布局参数和性能参数来执行电路仿真，并判断所述电路仿真的结果是否满足所述RFIC的设计规范；(e)当判断所述电路仿真的结果满足所述RFIC的设计规范时，执行电路制造处理；以及(f)当判断所述电路仿真的结果不满足所述RFIC的设计规范时，(f‑1)将所述布局划分为多个区域，以及(f‑2)去除从划分后的布局中选出的任一个区域，并执行所述电磁仿真，从而分析和补偿性能退化区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||