发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板制作方法,涉及显示技术领域,包括以下步骤:S1:在基板上形成包括第一栅极的图形;S2:在步骤S1之后的基板上在所述第一栅极上方形成第二栅极,并对所述第二栅极的表面进行氧化处理形成栅绝缘层;其中,所述第一栅极和第二栅极共同形成栅极;S3:在步骤S2之后的基板上形成包括有源层、源漏电极、数据线、钝化层、像素电极的图形的层级结构。还提供了一种阵列基板和显示装置。本发明的阵列基板制作方法工艺成本低。 |
申请公布号 |
CN102629592A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201210080924.8 |
申请日期 |
2012.03.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
孙冰 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/167(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在基板上形成包括第一栅极的图形;S2:在步骤S1之后的基板上在所述第一栅极上方形成第二栅极,并对所述第二栅极的表面进行氧化处理形成栅绝缘层;其中,所述第一栅极和第二栅极共同形成栅极;S3:在步骤S2之后的基板上形成包括有源层、源漏电极、数据线、钝化层、像素电极的图形的层级结构。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |