| 发明名称 | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片上开孔；(5)在硅片的非孔金属电极区域上生长保护膜；(6)采用电镀的方法在孔内生成孔金属电极；(7)去除保护膜，丝网印刷受光金属电极和背光金属电极，印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明开发了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，采用电镀的方法生长孔金属电极，解决了背接触电池的灌孔不良的现象，大大降低了不良成品率；同时也降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102629641A | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201210108282.8 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 张凤;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片的受光面进行制绒；(2) 在硅片的受光面扩散制结；(3) 去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4) 在硅片上开孔；(5) 在硅片的非孔金属电极区域上生长保护膜；(6) 采用电镀的方法在孔内生成孔金属电极；(7) 去除保护膜，丝网印刷受光金属电极和背光金属电极，印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||