阵列基板及其制作方法

摘要

本发明涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种阵列基板及其制作方法，其中阵列基板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在基板上连续沉积栅电极，绝缘层和有源层，并通过第一次掩模工艺形成栅电极、栅线和有源层图形；步骤S2、在完成步骤S1的所述基板上沉积保护层，并通过第二次掩模工艺在所述保护层上形成过孔；步骤S3、在完成步骤S2的所述基板上沉积像素电极和源漏电极，并通过第三次掩模工艺形成像素区域、源漏电极和数据线。本发明节省了一次掩模工艺，降低了生产成本；增加了TFT的充电电流，缩短了充电时间，且减少了数据线和栅线之间的电容，有效消除了寄生电容，优化了阵列基板的性能。

主权项

阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在基板上连续沉积栅电极，绝缘层和有源层，并通过第一次掩模工艺形成栅电极、栅线和有源层图形；步骤S2、在完成步骤S1的所述基板上沉积保护层，并通过第二次掩模工艺在所述保护层上形成过孔；步骤S3、在完成步骤S2的所述基板上沉积像素电极和源漏电极，并通过第三次掩模工艺形成像素区域、源漏电极和数据线。