发明名称 整合型无源元件及其制造方法
摘要 本发明公开一种整合型无源元件及其制造方法,所述整合型无源元件在一基板的上表面依序堆迭一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第三绝缘层。所述第一绝缘层内具有一第一电路层,其包含至少一电容结构及至少一电阻结构。所述第二绝缘层内具有一第二电路层,其厚度介于5至50微米之间,并形成至少一第一电感结构。所述第三绝缘层内具有一第三电路层,其厚度介于5至25微米之间,并形成至少一第二电感结构。所述整合型无源元件可以采用半导体后段封装基板的设备来制造,使其具有厚度大于5微米的电感结构,进而有利于降低电感损耗、提高电感效率,并可提高无源元件整合密度及缩小元件体积。
申请公布号 CN101834178B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN200910128829.9 申请日期 2009.03.12
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 苏清辉;杨学安
分类号 H01L27/01(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/01(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 翟羽
主权项 一种整合型无源元件,其特征在于:所述整合型无源元件包含:一基板;一第一绝缘层,堆迭于所述基板的上表面,所述第一绝缘层内具有一第一电路层,所述第一电路层包含至少一电容结构及至少一电阻结构;一第二绝缘层,堆迭于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层内具有一第二电路层,所述第二电路层的厚度介于5至50微米之间,所述第二电路层与所述第一电路层电性连接,并且形成至少一第一电感结构;及一第三绝缘层,堆迭于所述第二绝缘层上,所述第三绝缘层内具有一第三电路层,所述第三电路层的厚度介于5至25微米之间,所述第三电路层与所述第二电路层电性连接,并且形成至少一第二电感结构,所述第三绝缘层另具有数个开口,以裸露所述第三电路层的一部分表面并形成数个接垫。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号