等离子处理装置及等离子处理方法

摘要

本发明涉及等离子处理装置及处理方法，其产生均匀等离子以对大面积基板能够实施匀化处理。该等离子处理装置包含：真空腔；配置于真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；及计算施加于下部电极各块件的偏置功率、并控制偏置功率供给部的控制部。

主权项

一种等离子处理装置，其特征在于，包含：真空腔；配置于所述真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极，其中基板位于下部电极的各块件上；配置于所述真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向所述真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与所述下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与所述下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；计算施加于所述下部电极各块件的偏置功率、并控制所述偏置功率供给部的控制部；等离子断层摄影部，其对将所述上部电极和下部电极之间的空间假想分割的各区域，分别进行等离子密度的断层摄影，并向所述控制部提供与拍摄的各区域等离子密度相关的数据，所述断层摄影部含有：多个第一摄影机构，其在与所述下部电极的上面平行的一方向、对所述上部电极和下部电极之间的空间进行摄影；多个第二摄影机构，其在与所述第一摄影机构不同的方向上进行摄影。