| 发明名称 |
一种碲化铋基烧结材料的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种碲化铋基烧结材料的制备方法，属热电转换技术领域。本发明方法包括晶棒材料的预处理、预压及放电等离子快速烧结，特征在于放电等离子快速烧结过程中直接加压烧结晶棒，获得烧结材料。本发明再放电等离子快速烧结过程中控制烧结温度为390～450℃，保温时间8～1 0分钟，烧结压力35～60 MPa，制备的碲化铋基烧结材料保持了晶棒材料原有的取向，发明方法无需复杂的制粉过程，节约了制粉工时，同时减少了杂质的引入，及制粉过程带来的材料损耗。 |
| 申请公布号 |
CN101403139B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
| 申请号 |
CN200810038766.3 |
申请日期 |
2008.06.11 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所;上海申和热磁电子有限公司 |
发明人 |
李小亚;陈立东;夏绪贵;吴燕青 |
| 分类号 |
C30B29/46(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种碲化铋基烧结材料的制备方法，包括晶棒材料的预处理、预压及放电等离子快速烧结，其特征在于放电等离子快速烧结过程中直接加压烧结晶棒，获得烧结材料，烧结温度为390～450℃，保温时间8～10分钟，烧结压力35～60MPa。。 |
| 地址 |
200050 上海市定西路1295号 |
